rikoさん、こんにちは。

>とDRIE(deep reactive ion etching)の訳語がどうしても
>わかりません。

ディープ反応性イオンエッチングで検索かけたら一件ヒット
しました。半導体のことはよく分からないのではずしていたら
ごめんなさい。

http://www.geocities.co.jp/Technopolis/5941/micro/78.html

Addieさんは No.5367「Re:ＳＢＡＲとＤＲＩＥの訳語（半導体）」で書き
ました。

>ディープ反応性イオンエッチングで検索かけたら一件ヒット
>しました。半導体のことはよく分からないのではずしていたら
>ごめんなさい。
>
>http://www.geocities.co.jp/Technopolis/5941/micro/78.html

記事内容を確かめました。恐らくこれでよいと思います。
ありがとうございました。

Boolean Searchという立派な外国公報検索サイトがあります。このサイト
にアクセスしてDRIEを入力し、AND論理で日本の半導体大手のHITACHIとか
TOSHIBAを入力すればたいてい何件かの外国出願された公報がヒットします
。その公報には日本出願の出願番号が記載されていますから、そこでDRIE
がどのように表現されているかを調べれば良いと思います。googleで検索
するなど、私は考えもしません。rikoさんの検索ツールの使い方に問題が
あるのでは？





rikoさんは No.5366「ＳＢＡＲとＤＲＩＥの訳語（半導体）」で書きまし
た。
>こんばんは。
>rikoと申します。
>薄膜バルク共振子フィルタ（ＦＢＡＲ）関連の翻訳をしているのですが、
>そこにでてくるＳＢＡＲ（solidly-mounted bulk acoustic resonators)
>とDRIE(deep reactive ion etching)の訳語がどうしても
>わかりません。いずれも専門用語なので決まった訳語があるはずなのです
>が、googleで検索したり、色々な（手持ちの）辞書であたっても
>ヒットしませんでした。
>反応性イオンエッチングというのはあるのですが、
>deepがつくとすべてＤＲＩＥのまま文章中に書いてあるのです。
>ご存知の方がいらっしゃったら教えていただけないでしょうか。
>よろしくお願いします。
>

ありがとうございました。

>Boolean Searchという立派な外国公報検索サイトがあります。
色々とありがとうございました。
このサイトは全く知りませんでした。
参考になります。
くだらない質問にお付き合いしていただき
もうしわけありませんでした。
ネット活用技術をもうすこし研鑚します。